薄膜沉积

1. 蒸镀：AL/Au/Pt/Ti/Sn/Cr/Ta/Ag
2. 硅：多晶硅
3. 氧化硅：APCVD/PECVD/低应力
4. 氮化硅：LPCVD/PECVD/低应力
5. 合金
6. 退火

光刻

1. 涂胶：旋涂
2. 普通光阻：正胶/负胶
3. 特殊光阻：SU8/Polyide
4. 曝光：l-Line步近式，1X接近式/接触式，单面/双面曝光
5. 显影

晶圆键合

1. 阳极键合：硅-玻璃
2. 硅硅键合：硅-硅，硅-氧化硅
3. 共晶键合：硅-金
4. 金属热压：金-金

    

干法刻蚀

1. 深硅刻蚀
2. HF释放
3. 单晶硅/多晶硅刻蚀
4. 氧化硅/氮化硅刻蚀
5. PI刻蚀
6. 光刻胶去除

湿法刻蚀

1. 晶圆清洗
2. SC1/SC2/SPM/DHF/兆声/超声
3. 单晶硅/多晶硅刻蚀
4. 氮化硅/氮化硅刻蚀
5. HF/BOE湿法释放刻蚀
6. 甩干干燥/烘箱干燥/IPA干燥
7. 金属刻蚀：AL/Au/Ti/Cr
8. 金属剥离
9. 光刻胶去除

测量-形貌/尺寸

1. 3D形貌
2. 台阶高度测量
3. CD测量（OM/SEM）
4. 套刻精度测量
5. 薄膜厚度测量
6. 晶圆厚度测量
7. 曲率半径测量
8. 红外/光学显微镜

测量-电性/机械/其它

1. 探针台
2. 电阻/电容测量
3. 应力检测
4. 颗粒检测
5. 缺陷检测
6. FTIR
7. SEM