公司以6英寸体硅工艺为主，可实现多种工艺的加工服务：

光刻：接近式光刻（可双面）和步进光刻，最小线宽1um

薄膜制备：氧化、LPCVD、TEOS、PECVD

金属制备：E-beam

湿法腐蚀：KOH、 BOE/HF等

干法刻蚀：RIE、DRIE（深宽比达到40）

键合：硅硅、硅-玻璃、金属共晶、金属热压等多种键合

结构释放：气态HF刻蚀

减薄：机械减薄、CMP