涂胶:旋涂
普通光阻:正胶/负胶
特殊光阻:SU8/Polyide
曝光:I-Line步进式,1X接近式/接触式,单面/双面曝光
显影
涂胶显影机(SUSS):Arm传送方式,涂胶显影盘边缘吸附,一体化为MEMS结构器件定制设备,有多种胶管支撑工艺选择。
双面曝光机(SUSS):支持双面曝光,正面曝光对准精度1um,背面曝光对准精度1.5um,支持最小CD尺寸2um工艺。
步进光刻机(Ultatech Stepper):
①核心光刻性能参数
光源波长:365 nm(i-line紫外光源)
分辨率:0.5 µm(光刻胶厚度1µm条件下)
曝光均匀性:≤±1.5%
②对准与精度系统
对准精度≤ 120 nm
套刻精度≤ 110 nm
涂胶:旋涂
普通光阻:正胶/负胶
特殊光阻:SU8/Polyide
曝光:I-Line步进式,1X接近式/接触式,单面/双面曝光
显影
涂胶显影机(SUSS):Arm传送方式,涂胶显影盘边缘吸附,一体化为MEMS结构器件定制设备,有多种胶管支撑工艺选择。
双面曝光机(SUSS):支持双面曝光,正面曝光对准精度1um,背面曝光对准精度1.5um,支持最小CD尺寸2um工艺。
步进光刻机(Ultatech Stepper):
①核心光刻性能参数
光源波长:365 nm(i-line紫外光源)
分辨率:0.5 µm(光刻胶厚度1µm条件下)
曝光均匀性:≤±1.5%
②对准与精度系统
对准精度≤ 120 nm
套刻精度≤ 110 nm