光刻

工艺能力

涂胶:旋涂

普通光阻:正胶/负胶

特殊光阻:SU8/Polyide

曝光:I-Line步进式,1X接近式/接触式,单面/双面曝光

显影

涂胶显影机(SUSS):Arm传送方式,涂胶显影盘边缘吸附,一体化为MEMS结构器件定制设备,有多种胶管支撑工艺选择。

双面曝光机(SUSS):支持双面曝光,正面曝光对准精度1um,背面曝光对准精度1.5um,支持最小CD尺寸2um工艺。

步进光刻机(Ultatech Stepper):
①核心光刻性能参数
光源波长:365 nm(i-line紫外光源) 
分辨率:0.5 µm(光刻胶厚度1µm条件下) 
曝光均匀性:≤±1.5%
②对准与精度系统
对准精度≤ 120 nm 
套刻精度≤ 110 nm 

光刻机



步进光刻机原理

光刻机实际操作图

 

 

光刻

工艺能力

涂胶:旋涂

普通光阻:正胶/负胶

特殊光阻:SU8/Polyide

曝光:I-Line步进式,1X接近式/接触式,单面/双面曝光

显影

涂胶显影机(SUSS):Arm传送方式,涂胶显影盘边缘吸附,一体化为MEMS结构器件定制设备,有多种胶管支撑工艺选择。

双面曝光机(SUSS):支持双面曝光,正面曝光对准精度1um,背面曝光对准精度1.5um,支持最小CD尺寸2um工艺。

步进光刻机(Ultatech Stepper):
①核心光刻性能参数
光源波长:365 nm(i-line紫外光源) 
分辨率:0.5 µm(光刻胶厚度1µm条件下) 
曝光均匀性:≤±1.5%
②对准与精度系统
对准精度≤ 120 nm 
套刻精度≤ 110 nm 

光刻机



步进光刻机原理

光刻机实际操作图

 

 

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