膜厚仪

工艺能力

技术指标:
  • 测试材料须透光和半透光
  • 量测方式:自动化薄膜厚度光谱反射量测(无接触)
  • 红外光光源量测厚度范围:单晶硅衬底或碳化硅衬底7um-1mm
  • 红外光光源量测厚度误差:0.4% or 50NM(取大者)
  • 红外光量测重复精度:≤5nm
量测拟合模式:反射光谱拟合与傅里叶变换的双模式模拟厚度。
设备能力:
能够对SiO2薄膜、SiN薄膜、Poly薄膜、光刻胶、单晶硅衬底、碳化硅衬底及图形片内点位进行精准量测,并生成膜厚Mapping。
 

膜厚仪

工艺能力

技术指标:
  • 测试材料须透光和半透光
  • 量测方式:自动化薄膜厚度光谱反射量测(无接触)
  • 红外光光源量测厚度范围:单晶硅衬底或碳化硅衬底7um-1mm
  • 红外光光源量测厚度误差:0.4% or 50NM(取大者)
  • 红外光量测重复精度:≤5nm
量测拟合模式:反射光谱拟合与傅里叶变换的双模式模拟厚度。
设备能力:
能够对SiO2薄膜、SiN薄膜、Poly薄膜、光刻胶、单晶硅衬底、碳化硅衬底及图形片内点位进行精准量测,并生成膜厚Mapping。
 

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